水分子对有机场效应晶体管阈值电压稳定性的影响

摘要：

以重掺杂Si片为衬底,SiO2为栅绝缘层,并五苯为有源层,制备了有机场效应晶体管(OFETs),研究了空气中水汽对场效应性能的影响.实验表明:当器件较长时间放置在空气中时,吸附在并五苯和SiO2接触面之间的水分子导致阈值电压漂移,器件的稳定性降低;经过热处理的器件的阈值电压漂移现象消失.提出了解释阈值电压漂移现象的模型,该模型可解释水分子在这个过程中所起的作用.

关键词：有机场效应晶体管、并五苯、阈值电压漂移、热处理

所属期刊栏目：27

分类号：TN386(半导体技术)

资助基金：国家自然科学基金项目11547221

在线出版日期：2016-11-11（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：33-36