非晶硅电池研究

摘要：

在相同氢稀释硅烷浓度和相同的其它沉积参数情况下,在电池和玻璃上本征材料晶化程度不同,微结构有差别.硅烷浓度SC=8%～2%区间采用提高氢稀释硅烷浓度的方法沉积非晶硅,可使材料的有序度提高.本征层材料硅烷浓度SC=6%的电池在沉积时随着衬底温度的增高,电池的开路电压逐渐减小;电池的填充因子随着本征层压力的增大也呈现上升趋势,开路电压随着沉积压力的增大又逐渐降低.

关键词：非晶硅电池、温度、功率

分类号：TM914.4;TN304.055;O484

在线出版日期：2009-06-19（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共2页

页码：173-174