透明导电ZTGO薄膜的制备及其光电性能研究

摘要：

采用射频磁控溅射方法制备了ZTGO透明导电氧化物薄膜,通过紫外-可见分光光度计和四探针仪的测试以及光学表征技术,研究了生长温度(Tem)对样品光学、电学和光电综合性能的影响.结果表明,薄膜样品的性能参数与Tem值密切相关.当Tem为640 K时,样品的电导率为7.86×102 S?cm-1、光学带隙为3.48 eV、Urbach能最小为0.167 eV、可见光区平均透过率最高为84.61％、优良指数最大为0.423 S,具有最好的光电综合性能.

关键词：磁控溅射、透明导电氧化物、薄膜

所属期刊栏目：40

分类号：TM914

资助基金：湖北省自然科学基金资助项目2011CDB418

在线出版日期：2021-04-23（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共6页

页码：171-176