碳化硅IGBT电力电子器件封装和绝缘研究综述

摘要：

基于传统Si(碳)材料的制约和宽禁带材料SiC(碳化硅)的大力发展,对电力电子的发展、 电力电子器件的结构和封装工艺、 电力电子器件的检测技术以及电力电子绝缘材料的研究进行了梳理.主要的检测技术是局部放电和电树枝测量技术,而对于材料介电性能的研究方法包括击穿强度、 介电常数、 电导率、 时域介电弛豫等.对于材料理化性能主要是采用扫描电镜、 超声波扫描显微镜、 傅里叶红外光谱、 热失重、 差式扫描热分析等研究手段.

关键词：宽禁带、电力电子器件、封装、绝缘、老化

所属期刊栏目：38

分类号：TM46(变压器、变流器及电抗器)

资助基金：国家重点研发计划资助2018YFB0904400;直流输电技术国家重点实验室南方电网科学研究院有限责任公司项目SKLHVDC-2019-KF-18;浙江省自然科学基金项目LY18E070003;中央高校基本科研业务费项目2018QNA4017;宁波市"科技创新2025"重大专项;浙江大学"百人计划"

在线出版日期：2019-11-19（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共8页

页码：26-33