锰硅化合物Mn4Si7能带结构的研究

摘要：

MnSi1.7在光电子器件领域有广泛的应用前景.由于化合物结构的复杂,对MnSi1.7能带结构的研究仅限于实验上,而且不同实验测量的能隙值不同.首次利用"第一性原理",对MnSi1.7(Mn4Si7相)的电子特性进行了理论计算.计算结果表明,MnSi17(Mn4Si7)具有0.83 eV的直接能隙,这预示了MnSi1.7在光电上有着重要的应用前景.

关键词：锰硅半导体、能带、电子结构、能隙

所属期刊栏目：20

分类号：O471.5(半导体物理学)

在线出版日期：2006-08-09（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共6页

页码：84-89