10.3760/cma.j.issn.0254-1424.2009.10.002
低频电刺激对大鼠脑梗死灶镜区皮质突触可塑性的影响
目的 研究脑梗死大鼠经低频电刺激治疗后,其梗死灶镜区脑皮质突触可塑性变化,初步从分子水平探讨低频电刺激治疗的基本机制.方法 将48只Sprague-Dawley大鼠随机分为低频电刺激组、安慰刺激组和假手术组.造模术后3 d,低频电刺激组接受低频电刺激治疗7 d(20 min/d);安慰刺激组安放电极但不予电刺激;假手术组无特殊处置.以电子显微镜观察各组动物脑梗死灶镜区突触超微结构,采用Western blot技术测定其胶质纤维酸性蛋白(GFAP)和突触素的蛋白表达水平.结果 低频电刺激治疗7 d后,与安慰刺激组及低频电刺激治疗前相比,镜区皮质突触的界面曲率增大、突触间隙缩窄;GFAP蛋白表达水平无显著改变,而突触素蛋白表达水平显著升高(P<0.05).结论 低频电刺激可诱导脑梗死大鼠梗死灶镜区脑皮质发生活跃的突触可塑性变化.
低频电刺激、脑梗死、突触、可塑性、大鼠
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R74(神经病学与精神病学)
国家自然科学基金30772304;广东省自然科学基金8451008901000885
2010-01-08(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
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