期刊专题

10.3760/cma.j.issn.1671-8925.2018.12.000

微血管减压术后并发无菌性脑膜炎的危险因素分析

引用
目的 探讨微血管减压术(MVD)后发生无菌性脑膜炎(AM)的危险因素,为临床预防MVD术后AM的发生提供参考.方法 回顾性分析解放军空军特色医学中心神经外科自2014年1月至2016年12月行MVD治疗的三叉神经痛或面肌痉挛的141例患者的临床资料,采用单因素及多因素Logistic回归分析模型对可能导致AM发生的18项相关因素进行统计分析.结果 单因素分析显示:性别、年龄、糖尿病、手术时间、术者熟练程度、术中使用地塞米松及术后换药时间等7种因素是MVD术后发生AM的相关因素(P<0.05);多因素Logistic回归分析显示男性(OR=2.920,P=0.015)、糖尿病(OR=0.200,P=0.026)及术中未使用地塞米松(OR=7.970,P=0.002)是术后发生AM的独立危险因素.结论 男性或糖尿病患者MVD术后发生AM概率较高,需注意防治;在MVD操作时,减压完成后于桥小脑角池内注入地塞米松,可以有效降低AM的发生率.

微血管减压术、无菌性脑膜炎、危险因素

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R651.1(外科学各论)

2019-01-07(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)

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中华神经医学杂志

1671-8925

11-5354/R

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2018,17(12)

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