极低频电磁场对大鼠创伤性颅脑损伤后神经保护时间窗的影响

摘要：

目的 研究极低频电磁场对大鼠颅脑损伤后神经保护时间窗的影响.方法 522只雄性SD大鼠建立侧向液压打击模型后,分别置于无电磁场中和频率为15HZ强度为1G、3G、5G的电磁场中[分别为N-EMF组、EMF-1G (15 Hz)组、EMF-3G (15 Hz)组、EMF-5G (15 Hz)组],时间分别为0.5h、1h、6h、12h、18h、24 h、30h,然后腹腔注射海人酸诱导海马部位神经元凋亡模拟颅脑损伤后的二次损伤.应用水迷宫实验观察二次损伤后各组大鼠的学习与记忆能力,TUNEL法检测大鼠海马部位神经元凋亡情况,脑组织含水量检测大鼠脑水肿情况,Western blotting法检测缺氧诱导因子-1α(HIF-1α)蛋白的表达情况.结果 EMF-1G (15 Hz)组、EMF-3G (15 Hz)组、EMF-5G (15Hz)组大鼠颅脑损伤后神经保护窗口时间(损伤后1～12 h)与N-EMF组(损伤后1～6h)相比明显延长.在神经保护时间窗内(1 h、6h、12h),EMF-1G (15 Hz)组、EMF-3G (15 Hz)组、EMF-5G (15 Hz)组大鼠到达高台所需时间比N-EMF组相对时间点明显缩短,诱导的神经元凋亡数目明显少于N-EMF组相对时间点,大鼠脑组织含水量明显低于N-EMF组相应时间点,差异均有统计学意义(P＜0.05).在EMF-1G (15 Hz)组、EMF-3G (15 Hz)组、EMF-5G (15 Hz)组侧向液压打击后12h、18h、24 h注射海人酸后,HIF-1α蛋白的表达明显低于N-EMF组相应时间点,差异有统计学意义(P＜0.05).结论 电磁场照射可以明显延长创伤性颅脑损伤后的神经保护时间窗,并加强神经保护时间窗内的保护强度.

关键词：颅脑损伤、极低频电磁场、神经保护、时间窗

所属期刊栏目：12

分类号：R651.15(外科学各论)

在线出版日期：2013-11-25（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共6页

页码：1011-1016