高功率880nm激光芯片可靠性验证分析

摘要：

高功率880nm激光芯片的结构设计,均采用大光学腔和小于0.62cm-1的低内损,并通过MOCVD(Metal-organic Chemical Vapor Deposition)工艺实现这种结构的外延.通过一系列标准和特殊制造工艺,实现了200μm发射器宽度和4mm腔长激光芯片.在P面朝下贴装在A1N陶瓷基板上后,测试880nm激光器的阈值电流为1.1A,斜率效率为1.11W/A,中心工作波长为11A时为880.8nm,光谱半高宽(FWHM)为2.2nm.在16A的连续电流和20° C的冷却水温下进行加速老化试验,老化时间达到2000h时无故障.根据ISO/FDIS 17526的Arrhenius模型,MTTF(Mean time to failure)计算为20万小时.

关键词：880nm、高功率、激光芯片、MTTF

分类号：TP302.8;O213.2;S

在线出版日期：2024-01-23（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共3页

页码：70-72