钨和钽电极材料对Lu2O3薄膜基阻变存储器的影响机制研究

摘要：

采用脉冲激光沉积技术在Pt/Ti/SiO2/Si衬底上沉积了非晶Lu2O3薄膜,制作了W和Ta作为顶电极的W/Lu2O3/Pt和Ta/Lu2O3/Pt堆栈结构器件,并运用Keithely 4200-SCS测试平台分析了其电阻转变特性.在对器件加载电压后,Ta/Lu203/Pt器件未表现出阻变存储特性,然而W/Lu2O3/Pt表现出良好的双极性电阻转变特性,其高低阻态比大于103.经过大于1×104s的读电压,高低阻态的电阻值没有发生明显的变化,表现出良好的数据保持能力.通过对高低阻态的电流电压关系、电阻值与器件面积的关系和电阻值与温度的关系的研究,分析认为导电细丝的形成和破灭机制是导致W/Lu2O3/Pt器件发生电阻转变现象的主要原因.

关键词：阻变存储器、氧化镥、电极材料、存储机制

所属期刊栏目：32

分类号：TN386.1(半导体技术)

资助基金：国家自然科学基金项目50932001,51102020,51202013,重大科技专项02专项2013ZX02303资助

在线出版日期：2014-10-27（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页码：495-500