4H-SiC/Si纳米晶膜的室温紫外光发射

摘要：

@@硅基短波长光致发光半导体材料是目前光电子学领域的研究热点之一。1990年，室温下发光 的多孔硅的发现，为发展硅基纳米电子器件提供了广阔的前景。然而多孔硅发光特性不稳定 ，影响其实际应用。因此探索新的硅基短波长发光材料十分必要。碳化硅(SiC)是一种宽带 隙高温半导体，性能稳定，有丰富的多型。在硅衬底上生长的碳化硅膜主要是3C-SiC(E g=2 .2eV)，目前已有多孔3C-SiC/Si在室温下发光的报导［1，2］。在Si衬底上生长具 有更宽带隙的4H-SiC(Eg=3.26eV)膜及其发光报导尚不多见。本课题组曾以短程结构与 SiC 相似的纳米Si3N4为前驱物，利用LB膜技术，在硅衬底上成功制得了择优取向的4H-SiC 晶态膜［3］。本文报导用类似方法制得的4H-SiC/Si纳米晶膜的室温光致紫外发光研究。

机标关键词：紫外光发射、si纳米晶

所属期刊栏目：7

分类号：TN304.2(半导体技术)

资助基金：国家自然科学基金69876033

在线出版日期：2007-07-26（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共7页

页码：128-133