快速热退火对InP(100)表面硫钝化的增强作用

摘要：

利用光荧光光谱(PL),俄歇电子能谱(AES)和X射线光电子谱(XPS)对快速热处理(NH4)2Sx钝化InP表面进行研究,结果表明采取这种方法钝化后的InP表面荧光强度是未钝化的10倍.XPS结果表明热处理可以大大增强S-In结合,增强硫的钝化效果.最后对硫钝化增强的有关机理作了讨论.

关键词：化学钝化、热退火、X射线光电子谱

分类号：TG1(金属学与热处理)

资助基金：中国科学院项目（非规范项目）69576031

在线出版日期：2004-01-08（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共3页

页码：228-230