稀磁半导体Cd1-xGdxTe的法拉第旋转谱

摘要：

在300K和85K温度下分别测量了组分为x=0.012和0.030稀磁半导体Cd1-xGdxTe的法拉第旋转随光子能量函数关系.利用微观模型确定Cd1-xGdxTe的sp-f交换作用参数分别为q=5.3×10-4(300K)和9.3×10-4(85K).能隙随着组分的增加向低能方向移动.

关键词：稀磁半导体、法拉第旋转、sp-f交换作用

分类号：O47(半导体物理学)

资助基金：中国科学院项目（非规范项目）19574004

在线出版日期：2004-01-08（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

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