塑封成型过程芯片热-流-固耦合变形机理数值模拟研究

摘要：

基于Castro-Macosko固化动力学模型,建立了描述塑封填充过程及其芯片热-流-固多场耦合翘曲变形形成过程的理论模型,并揭示了其变形机理.结果表明,芯片热-流-固耦合翘曲变形先随熔体充填流动时间的增加而快速增加,达到最大值之后逐渐减小,并趋于恒定;芯片热-流-固耦合综合翘曲变形主要由热-流-固耦合压力场诱发的翘曲变形和不均匀温度场诱发的热变形组成,芯片热-流-固耦合压力场诱发的变形为向外的翘曲变形,且正比于芯片上下表面熔体充填不平衡流动的流长差和充填流动速度差,并沿轴向呈先增后减的对称抛物线分布,热-流-固耦合压力场诱发的翘曲变形远大于不均匀温度场诱发的热变形,芯片热-流-固耦合综合翘曲变形主要由热-流-固耦合压力场诱发的变形控制.

关键词：芯片、封装成型、热-流-固耦合、翘曲变形机理

所属期刊栏目：30

分类号：TQ320.66+2

资助基金：国家自然科学基金21464009

在线出版日期：2016-12-05（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共7页

页码：62-68