后摩尔时代大规模集成电路器件与集成技术

摘要：

本文梳理了微纳电子器件技术从等比例缩小的技术路线发展到以功耗降低为核心的后摩尔时代技术路线的过程, 阐述了从等比例缩小到功耗缩小的微纳电子器件技术发展趋势, 并对后摩尔时代大规模集成电路的新器件与工艺技术, 包括Fin FET、围栅晶体管、新型隧穿器件、单片三维集成工艺等进行了较为系统的分析, 试图为大规模集成电路技术的持续发展提供新的视野和观点.

关键词：集成电路、等比例缩小、低功耗、微电子器件、FinFET、围栅晶体管、隧穿晶体管、单片三维集成、摩尔定律

所属期刊栏目：48

分类号：TP303;TN402;TN304

资助基金：国家重点研发计划;国家自然科学基金;国家自然科学基金

在线出版日期：2018-09-29（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共15页

页码：963-977