新型RESURF AlGaN/GaN HEMTs器件耐压分析

摘要：

本文首先从器件有源区耗尽过程分析表明AlGaN/GaN HEMTs器件具有与传统Si功率器件不同的耗尽过程,针对AlGaN/GaN HEMTs器件特殊的耐压机理,提出了一种降低表面电场,提高击穿电压的新型RESURF AlGaN/GaN HEMTs结构.新结构通过在极化的AlGaN层中引入分区负电荷,辅助耗尽二维电子气,有效降低了引起器件击穿的栅极边缘高电场,并首次在漏极附近引入正电荷使漏端高电场峰降低.利用仿真软件ISE分析验证了AlGaN/GaN HEMTs器件具有的“虚栅,效应,通过电场和击穿特性分析获得,新结构使器件击穿电压从传统结构的257 v提高到550V.

关键词：AlGaN/GaN、HEMTs、击穿电压、电场、RESURF、二维电子气

所属期刊栏目：42

分类号：TN386(半导体技术)

资助基金：国家自然科学基金61106076

在线出版日期：2012-10-22（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页码：770-777