忆阻器阻变随机存取存储器及其在信息存储中的应用

摘要：

忆阻器具有依赖于激励历史的动态电阻,可以用来构造少晶体管的非易失性半导体存储器(NVSM),也称为阻变随机存取存储器(RRAM).本文提出了一种基于忆阻器的阻变随机存取存储器(MRRAM)——可与现代计算系统相兼容的纳米级二值存储器实现方案,其结构与静态随机存取存储器(SRAM)类似,但用忆阻器替代基本RS触发器存储信息.在此基础上,通过改进该MRRAM,可以实现在一个存储单元中存储多比特信息(以灰度级形式)的多值存储器,大大提高了存储密度.给出的计算机仿真和数值分析验证了本方案在存储ASCⅡ字符和图像中的有效性,探讨了灰度图像存储的新方法.

关键词：忆阻器、阻变随机存取存储器(RRAM)、电路设计、二值存储、多值存储、计算机仿真

所属期刊栏目：42

分类号：TP333(计算技术、计算机技术)

资助基金：国家自然科学基金;重庆市自然科学基金;中央高校基本科研业务费专项;重庆市高等学校青年骨干教师资助计划;中国博士后科学基金;重庆市高等教育教学改革研究重点项目

在线出版日期：2012-10-22（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页码：754-769