氮化硅膜折射率对多晶硅太阳能电池抗PID性能影响

摘要：

本文研究了在组件使用抗PID的EVA的条件下,不同的氮化硅膜折射率对组件抗PID性能的影响.实验结果表明,在电池增加了臭氧氧化,在组件使用抗PID的EVA条件下,2.02-2.18范围内的折射率对组件抗PID性能的影响没有明显区别,2.10的折射率生产的太阳电池转换效率最高.

关键词：PID、折射率、太阳电池转换效率

分类号：TM914

在线出版日期：2017-06-16（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

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