铝薄膜的生长过程的计算机模拟

摘要：

采用动力学蒙特卡洛方法(KMC)对AL薄膜的生长过程进行计算机模拟。运用计算机软件仿真在对基底温度为400K至1100K的不同基底温度下的铝薄膜的生长过程。仿真结果表明：基底温度对AL薄膜的形成与生长有着直接的关系,基底温度与成岛分子数量呈现先增加后减少的趋势,600K以下基本不会形成岛,当基底温度为900K时,岛所形成的形貌最为理想,缺陷率最低。

关键词：铝薄膜、薄膜生长、计算机模拟

分类号：O48;O4

资助基金：吉林省自然科学基金项目号20150101023JC;吉林省教育厅科技创新项目,大学生创新创业训练计划项目项目号2015S015,2015S013项目资金的支持。

在线出版日期：2016-08-17（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共2页

页码：58-58,60