GaN基一维光子晶体LED提取效率的数值模拟

摘要：

采用平面波展开法计算GaN介质一维光子晶体带隙,通过调整填充比找到最宽带隙。将设计结构应用于GaN基LED,并进行有限时域差分方法模拟,建立模型研究改变光子晶体柱的深度与其与发光效率的关系,分析了光子晶体带隙效应与光栅衍射效应在光子晶体LED应用中的适用条件和范围。

关键词：一维光子晶体、LED、发光效率、光子晶体带隙效应、光栅衍射效应

分类号：TN6;TN9

在线出版日期：2015-09-28（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共1页

页码：35-35