去噪后单晶硅表面形貌的反射率分析

摘要：

针对单晶硅表面在制绒时会有“凹坑”缺陷出现的现象，利用双正交提升小波bior4.4进行分段处理，将“凹坑”缺陷等价为“类三角形”的金字塔模型去噪。通过对去噪后的单晶硅绒面建立反射率的估计计算模型，进行反射率的估计计算。结果表明，将“凹坑”缺陷等价处理后能有效地降低反射率，同时得出单晶硅绒面的平均反射率与绒面的一致性存在一定的关系，有必要进一步控制绒面制造工艺因素，提高微结构的一致性。

关键词：单晶硅表面形貌、凹坑、去噪、反射率

分类号：O63;O6

在线出版日期：2014-09-06（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共2页

页码：35-36