先进节点工艺套刻精度测量的改善

摘要：

在先进技术节点集成电路制造工艺中,套刻精度测量标识被化学机械抛光(chemical mechanical polishing,CMP)工艺损伤会导致测量结果不精确,进而干扰制造工艺的稳定性.为解决此难题,在套刻精度关键工艺层次上,根据具体层次的工艺条件,独立开发了新型的先进影像测量(advanced imaging metrology,AIM)标识.通过对测量标识的优化设计,标识轮廓抵御CMP工艺损伤的能力得以提高.优化设计的手段包括冗余图形饱和处理、大尺寸图形切割处理、光栅周期调整优化等.通过对工艺流程中硅片实验的测量结果进行统计分析,证实了新型AIM标识比普通AIM标识的测量结果更精确,可以提高工艺稳定性.

关键词：半导体技术、套刻精度测量、先进影像测量标识、套刻精度测量标识设计、光刻工艺、化学机械抛光工艺

所属期刊栏目：12

分类号：TN305.99(半导体技术)

资助基金：国家重点研发计划2016YFC0102700

在线出版日期：2021-11-08（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共10页

页码：507-516