基于NSGA-Ⅱ算法的刻蚀机腔室关键结构工艺参数多目标优化

摘要：

以某18英寸晶元湿法刻蚀机腔室为研究对象,建立以入口流量、入口半径、阻尼板渗透系数、喷淋板渗透系数和刻蚀腔间距为参数的中心复合设计(central composite design,CCD).采用最小二乘法拟合得到平均刻蚀速率和刻蚀不均匀性的响应面模型,以二者为优化目标,使用非支配排序遗传算法(non-dominated sorting genetic algorithm,NSGA-Ⅱ)得到了最优刻蚀工艺下结构工艺参数的Pareto非劣解集,并研究最优刻蚀工艺下的结构工艺参数分布规律.优化结果表明,该方法可以有效获得最优刻蚀结构工艺参数,提高刻蚀工艺性能.

关键词：半导体加工技术、平均刻蚀速率、刻蚀不均匀性、NSGA-Ⅱ、多目标优化

所属期刊栏目：10

分类号：TN305.8(半导体技术)

资助基金：中央高校基本科研业务费专项;研究生科研创新项目

在线出版日期：2021-11-08（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共7页

页码：2525-2531