大尺寸WSe2薄膜可控制备及其光学特性

摘要：

探讨常压化学气相沉积(chemical vapor deposition,CVD)法下生长温度、钨源量及其与衬底之间的距离对WSe2薄膜生长的影响.通过调控,在SiO2/Si衬底上制备出最大尺寸为50μm的单层WSe2三角形薄膜、150μm的单层WSe2六边形薄膜及0.5 cm×0.5 cm的大面积连续WSe2少层薄膜,并用光学显微镜、拉曼光谱与光致发光(photo-luminescence,PL)谱分别对单层、双层、三层结构的WSe2薄膜进行表征,观测到其峰位随着层数的增加而红移,表明随着层数的减小,WSe2薄膜的光学带隙变大,证实了WSe2从体结构转化为单层时,其带隙由间接带隙转变为直接带隙.

关键词：低维无机非金属材料、二硒化钨、化学气相沉积、生长机理、光致发光、拉曼

所属期刊栏目：10

分类号：TB321(工程材料学)

在线出版日期：2021-11-08（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共9页

页码：2094-2102