基于宽禁带半导体氮化镓(GaN)的高温电子电路研究

摘要：

由于氮化镓(GaN)具有更高的禁带宽度,基于GaN的宽禁带半导体器件的工作温度远远高于硅半导体器件.从电路设计的角度,通过对高温基板的选择、高温器件的选型、高温电路的互连方式进行分析,采用厚膜电路技术方案,经过印刷电路板(printed circuit board,PCB)设计、网版印刷、高温烧结等一系列流程制作出可以耐高温的线路板.搭建基于高温宽禁带半导体GaN在25～300℃的宽温区高温电路测试平台,对电路进行全温度的测试,并与仿真结果进行对比,验证电路仿真的正确性.最终通过实时信号测试仪接收无线传感信号并成功解调,得到频偏与输入信号的关系,实现在300℃高温下传感电子单元的设计.

关键词：半导体材料、氮化镓(GaN)、高温电路、传感电子单元

所属期刊栏目：10

分类号：TN304(半导体技术)

资助基金：高等学校博士学科点专项科研基金新教师类20130042120023

在线出版日期：2021-11-08（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共8页

页码：1819-1826