多孔硅表面磁控溅射沉积Ti膜的形貌研究

摘要：

采用磁控溅射方法分别在随机刻蚀的多孔硅和孔径分别为2.5,12,15 μm的多孔硅阵列上沉积Ti膜.讨论了不同偏压条件下沉积Ti膜的形貌和多孔硅刻蚀形貌对Ti膜的影响.研究表明:未加偏压时,Ti膜在多孔硅阵列上以柱状晶和岛状生长模式生长,在硅的原刻蚀纹路上堆积,造成沉积的阴影效应,Ti膜均匀性差;施加偏压后,沉积的Ti膜相对平整,离子经偏压加速后的再溅射效应有效减小了Ti原子在刻蚀纹路和孔口边缘上的堆积,减小了表面和孔内的沉积厚度比,孔内的Ti膜沉积深度达55 μm以上.可以看出,多孔硅表面和孔壁形貌也会影响Ti膜的形貌,平滑的孔壁要优于粗糙的孔壁.研究为多孔硅在能量转换和探测器领域的发展提供了孔内制备薄膜的方法和沉积机制.

关键词：薄膜物理学、多孔硅、磁控溅射、偏压、Ti膜

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分类号：O484.1(固体物理学)

资助基金：高等学校博士学科点专项科研基金;国家自然科学基金;国家自然科学基金

在线出版日期：2021-11-09（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共7页

页码：262-268