基于酞菁钕为光敏层的红光光敏异质结机场效应晶体管

摘要：

合成了一种高吸收系数(～1.7×105 cm-1)的金属酞菁类光敏材料酞菁钕(NdPc2),该材料薄膜在可见光区638 nm处存在吸收峰,吸收峰靠近红光常用波段(650～670 nm);报道了NdPc2/C60异质结光敏有机场效应晶体管(organic field effect transistors,OFETs),该器件以NdPc2为光敏层,高迁移率材料C60为载流子传输层,性能明显优于NdPc2单层器件.在入射光强为1.41 m·W/cm2时,NdPc2/G0异质结器件的光响应度达到最大值0.8 A/W,是NdPc2单层器件的62倍.可以得出,合成的具有高吸收系数的NdPc2可作为光敏材料使用,同时NdPc2/C60异质结器件非常适用于红光探测器.

关键词：半导体物理学、NdPc2/C60异质结、光敏有机场效应晶体管、光响应度、酞菁钕

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分类号：O47(半导体物理学)

资助基金：国家自然科学基金;高等学校博士学科点专项科研基金

在线出版日期：2021-11-09（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共7页

页码：247-253