阳极氧化SiO2退火工艺对硅光生少子复合的影响

摘要：

采用电化学方法在绒面硅表面生长一层SiO2钝化层,在不同退火温度和时间下研究硅的光生少数载流子复合过程.使用高频电容电压(capacitance-voltage,C-V)及瞬态表面光伏(surface photovoltage,SPV)衰减技术研究分析不同退火条件下SiO2/Si界面特性的变化及光生少数载流子的复合过程.通过实验发现较低温度下退火后固定正电荷减少,界面缺陷态没有变化,从而加快了光生少数载流子的复合.500℃下退火则界面缺陷态以及固定正电荷同时减少,界面缺陷态减少产生的影响更显著,起到了减慢光生少数载流子复合的作用.

关键词：微电子学与固体电子学、SiO2、阳极氧化、退火

所属期刊栏目：7

分类号：O472+.1(半导体物理学)

在线出版日期：2021-11-09（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：224-228