化学液相沉积Al2O3薄膜钝化p型黑硅

摘要：

采用易操作、成本低的化学液相沉积(chemical liquid phase deposition,CLD)法在p型黑硅(black silicon,b-Si)衬底上沉积均匀的Al2O3钝化层,研究不同退火温度(300,600,900℃)对钝化层物理特性及钝化效果的影响.实验发现:Al2O3钝化层增强了b-Si的反射率,钝化层中的氧元素含量少导致CLD出来的Al2O3中固定负电荷含量较少,并且固定负电荷密度随退火温度的增加而减少.通过瞬态表面光伏谱(surface photovoltage,SPV)测量发现,300～600℃之间的退火温度能够获得较好的钝化效果.

关键词：微电子学、Al2O3、表面钝化、黑硅、化学液相沉积

所属期刊栏目：6

分类号：O47(半导体物理学)

资助基金：国家高技术研究发展计划（863计划）2011AA050516

在线出版日期：2021-11-09（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：2142-2146