沉积电量对CdTe/TiO2纳米管阵列同轴异质结的形成和光电性能影响研究
采用两步阳极氧化法在纯钛片上制备规整有序的TiQ纳米管阵列,通过调节氨水浓度确定Te与Cd在TiO2纳米管阵列衬底上的欠电势共沉积电位,成功制备出CdTe/TiO2纳米管阵列同轴异质结薄膜电极.利用X射线衍射仪(X-ray diffraction,XRD)、X射线能谱仪(energy-dispersive X-ray spectrophotometry,EDXS)、场发射扫描电子显微镜(field-emission scanning electron microscopy,FE-SEM)、紫外可见分光光度计(ultraviolet-visible spectrophotometer,UV-Vis)、线性扫描伏安法(linear sweep voltammetry,LSV)、电化学交流阻抗法(electrochemical impedance spectroscopy,EIS)等测试手段对3种不同沉积电量的CdTe/TiO2纳米管阵列同轴异质结的晶型、形貌、光学性质、光电性能和电化学特性进行表征.结果 表明:当CdTe的沉积电量为8C时,CdTe/TiO2纳米管阵列同轴异质结在可见光有较强吸收,在光电反应过程中克服的势垒最小,光生载流子迁移率最快.其光电转换效率由敏化前的1.35％提高到7.64％.
低维无机非金属材料、同轴异质结、电化学原子层沉积、TiO2纳米管阵列、碲化镉、光电性能
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O649(物理化学（理论化学）、化学物理学)
国家自然科学基金;国家自然科学基金;深圳市战略性新兴产业发展专项
2021-11-09（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）
共9页
834-842
