霍尔推力器预电离对低频振荡及壁面腐蚀影响的研究

摘要：

ATON型霍尔推力器提出后,基于缓冲区的预电离现象的系列研究随之展开.但是迄今为止,预电离率的选择仍然未有定论.文章基于SPT-100型霍尔推力器的真实工作尺寸,建立了二维轴对称全粒子网格质点法(PIC)模型对推力器放电室内的放电过程进行模拟,并通过施加不同的缓冲区预电离率着重研究了预电离率与放电通道低频振荡和推力器壁面腐蚀之间的关系.研究结果显示,缓冲区预电离率的提高可以有效抑制放电通道内的低频振荡,使推力器工作性能提高.但与此同时,由于撞击通道壁面的离子能量增加导致通道壁面腐蚀加剧.

关键词：霍尔推力器、缓冲区预电离、低频振荡、壁面腐蚀

所属期刊栏目：36

分类号：V439+.2(推进系统（发动机、推进器）)

资助基金：国家自然科学基金10875034,11175052;深圳市科技计划JCYJ20150403161923511,ZDSYS0140508161547829

在线出版日期：2016-05-09（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共7页

页码：51-57