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“极紫外光刻关键技术研究”项目顺利通过验收近日,“极大规模集成电路制造装备及成套工艺”国家科技重大专项“极紫外光刻关键技术研究”项目顺利通过验收.评审专家组充分肯定了项目取得的一系列成果,一致同意项目通过验收,认为该项目的顺利实施将我国极紫外光刻技术研发向前推进了重要一步.极紫外(Extreme Ultraviolet,EUV)光刻是一种采用波长13.5nm极紫外光为工作波长的投影光刻技术,是传统光刻技术向更短波长的合理延伸.作为下一代光刻技术,被行业赋予拯救摩尔定律的使命.极紫外光刻光学技术代表了当前应用光学发展最高水平,作为前瞻性EUV光刻关键技术研究,国外同类技术封锁严重,技术难度大、瓶颈多.
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F27;TN4
2017-09-28（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）
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