PVDF-SiO2阴离子交换膜的迁移特性研究

摘要：

革除氯甲基化反应,制备了PVDF - SiO2阴离子交换膜,并对其迁移特性进行研究.试验结果表明:PVDF - SiO2阴离子交换膜的迁移特性优于PVDF阴离子交换膜.当无机SiO2含量为PVDF的1.5％时,阴膜的离子交换容量、含水率和接触角分别为1.192 meq/g、19.7％和50.62°.PVDF - SiO2阴离子交换膜的迁移性能随着成膜材料中纳米SiO2添加量的增加而增强,但PVDF - SiO2阴膜中纳米SiO2加入量为PVDF的1.5％比较适宜.该阴离子交换膜具有良好的含水率、离子交换容量、电导率和离子选择透过性,可用于电渗析过程.

关键词：阴离子交换膜、PVDF、纳米SiO2、迁移特性

所属期刊栏目：28

分类号：X703(一般性问题)

资助基金：华中农业大学引进博士科研启动费资助项目52204-09141;华中农业大学青年教师科技创新专项52902-0900201112;国家青年科学基金资助项目51108206

在线出版日期：2012-11-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：57-60