空穴主导雪崩倍增的短波长SiC紫外单光子探测器

摘要：

制备并分析了SiC nip雪崩光电二极管(APDs)雪崩倍增的物理机制.与280 nm紫外光相比,在240 nm紫外光入射时,SiC nip APD表现出更高的增益和更大的单光子探测效率.在240 nm紫外光入射时,SiC nip APD表现为空穴主导碰撞离化过程,随着入射光波长增加到280 nm,电子和空穴共同主导碰撞离化过程.由于SiC中空穴的碰撞离化系数大于电子,空穴主导的碰撞离化过程将具有更大的光子雪崩概率和更高的增益.因此,得益于空穴主导雪崩倍增过程,SiC nip APD更适用于短波长紫外光探测.

关键词：激光器、SiC、雪崩光电二极管、深紫外光探测、光子雪崩概率

所属期刊栏目：50

分类号：O475(半导体物理学)

资助基金：国家自然科学基金;无锡学院引进人才科研启动专项;无锡学院引进人才科研启动专项

在线出版日期：2023-10-31（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：227-231