大功率半导体激光器腔面膜的场强分布优化


为了提高半导体激光器腔面膜的激光损伤阈值,进而提高激光器输出功率,对激光器的灾变性光学镜面损伤产生的原因进行了探讨.根据损伤原理,将高反膜中场强最大处移出界面,采用光学传输矩阵,对厚度连续变化的界面场强和反射率进行了计算,得到优化高反膜系,优化膜系减小了界面处的光场对薄膜的损伤.采用改进后束流密度更大的LaB6作为阴极原位等离子源,对离子源清洗的参数进行了优化.薄膜制备前期使用离子清洗的方法在真空环境下对腔面进行去氧化,在制备过程中使用电子束蒸发离子源辅助沉积,并测试了薄膜在高温高湿环境下的稳定性.使用该优化的膜系和清洗方法制备的半导体激光器,在准连续输出时,功率由4.6W提升到了7.02 W,工作电流由5A提升到了8A.
激光器、腔面膜、激光损伤、电场分布
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TN248.4(光电子技术、激光技术)
国家自然科学基金51172225,11074247,51204056,61106047;国家自然科学基金重点项目90923037
2014-04-01(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
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