厄米-高斯涡旋光束形成的合成光涡旋及演化
对两束平行、离轴厄米-高斯(H-G)涡旋光束在束腰面形成的合成光涡旋(OV)及其演化特性做了研究.结果表明,合成光涡旋的数目、位置和净拓扑电荷不仅与控制参数,包括相对相位、振幅比、束腰宽度比和离轴参数有关,也与H-G涡旋光束的模式结构有关.适当改变控制参数和模式以及在自由空间演化中,会出现合成光涡旋的移动、产生和湮灭,并且拓扑电荷不总是守恒的.特别是,对TEM00和TEM01模涡旋光束形成的合成光涡旋,当改变相对相位时拓扑电荷也不守恒.所得结果对合成光涡旋的控制和应用是有用的.
合成光涡旋、厄米-高斯涡旋光束、模式结构、拓扑电荷
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O436.1(光学)
国家自然科学基金10874125
2009-10-26(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
共7页
2023-2029