新型结构垂直腔面发射激光器的研制

摘要：

为改善垂直腔面发射半导体激光器(VCSEL)的热特性.提高其光电性能,研制了新型辐射桥结构的VCSEL,即采用辐射桥状的电流注入通道取代以往传统结构VCSEL的环形电流注入通道.研究表明辐射桥结构可以降低VCSEL器件的体电阻和热阻,改善器件的模式特性.在同一外延片上,采用相同的工艺制备了辐射桥结构与传统结构两种VCSEL器件,并对两种器件的光电性能进行了对比测试.结果表明,辐射桥结构VCSEL比传统结构的VCSEL微分电阻降低25%,输出功率提高到1.6倍;辐射桥结构的VCSEL具有良好的温度特性与模式特性,80℃时仍能正常激射,60℃时最大输出功率可达17 mW,器件的热阻可达1.95℃/mW;器件单模工作,其总体性能远优于传统结构的VCSEL器件.

关键词：激光技术、垂直腔面发射激光器、辐射桥、热阻

所属期刊栏目：36

分类号：TN248.4(光电子技术、激光技术)

资助基金：国家自然科学基金60676059;吉林省科技发展计划20080331

在线出版日期：2009-10-26（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：1946-1950