激光二极管侧面抽运平板Nd:LuVO4晶体热效应

摘要：

在解析热分析理论的基础上,建立了平板Nd:LuVO4激光晶体在激光二极管阵列侧面抽运时的导热微分方程.通过对方程的求解,得到了Nd:LuVO4晶体内部温度场解析式,热形变场分布、温度场和热形变场的数值模拟表明,当抽运光功率为40W,抽运区域为1 mm×4 mm时,晶体在x方向的最高相对温升为11.63 K,y和z方向的最高温升为11.00 K;在x,y,z三方向上的热形变量分别为0.050μm,0.034 μm和0.48μm.这一结果可为Nd:LuVO4激光器设计提供理论支持.

关键词：激光器、Nd:LuVO4晶体、温度场、热形变场

所属期刊栏目：36

分类号：TN248.1(光电子技术、激光技术)

资助基金：陕西省教育厅专项科研项目06JK251;陕西省科技厅工业攻关项目2008K05-15资助课题

在线出版日期：2009-10-26（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：1923-1927