低温生长砷化镓光电导天线产生太赫兹波

摘要：

宽频太赫兹(THz)技术在国防、科研等领域有着广阔的应用前景,光电导天线是产生宽频THz波的重要手段.分析了低温生长和高温退火对光电导天线材料载流子寿命和电阻率的影响.在生长温度为230℃和250℃,退火温度为475℃的低温生长砷化镓(LTG-GaAs)上制备了领结(BowTie)和偶极子(Dipole)两种电极结构的小孔径光电导天线.实验给出,在250℃生长的LTG-GaAs上制备的光电导天线产生的太赫兹波辐射强度和频谱宽度较好,谱宽达到了3.6 THz,BowTie天线的辐射强度优于Dipole天线.两种形状的光电导天线皆可在10 V的偏置电压下产生太赫兹波辐射.

关键词：光谱学、太赫兹波、时域光谱测量、低温生长砷化镓、光电导天线

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分类号：O431.1;O433.2(光学)

资助基金：国家自然科学基金60736036;清华信息科学与技术国家实验室基础研究基金

在线出版日期：2009-05-20（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：978-982