10.3321/j.issn:0258-7025.2006.12.018
大功率半导体激光器热弛豫时间的测量
根据脉冲工作状态下半导体激光器激射光谱随结温升高而发生红移的原理,提出了一种测试半导体激光器热弛豫时间的新方法--利用调节取样积分器(Boxcar)取样门,测量光信号脉冲内不同时刻的时间分辨光谱.采用此方法对TO封装和厘米-靶条(cm-Bar)阵列的AlGaAs/GaAs半导体激光器的动态热特性进行了测试,得到其热弛豫时间分别为66 μs和96 μs.
激光技术、半导体激光器、时间分辨谱、热弛豫时间
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TN2(光电子技术、激光技术)
2008-08-04(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
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