化学氧碘激光器光学基片材料的光致热畸变特性

摘要：

利用格林函数解析法对强激光辐照下的光学材料Al2O3、CaF2、Si、SiO2四种基片的温度场分布以及热畸变特性进行了分析与讨论.计算结果表明:在10lW激光功率、辐照时间为5 s情况下,Al2O3、CaF2、Si、SiO2基片中心处最大温升分别为5.6℃、6.0℃、35.1℃、26.6℃;基片中心最大热畸变量分别为:0.28μm,0.99μm,040μm,0.14μm.

关键词：光电子学与激光技术、化学氧碘激光器、窗口材料、热畸变

所属期刊栏目：31

分类号：TN248.5(光电子技术、激光技术)

资助基金：国家高技术研究发展计划863计划;国家自然科学基金69878008

在线出版日期：2004-05-14（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共3页

页码：492-494