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10.3321/j.issn:0258-7025.2004.z1.160

CVD掺硫金刚石薄膜的应力研究

引用
以[CH/H2/Ar/H2S]为工作气体,采用辉光等离子体辅助化学气相沉积(CVD)技术,对掺硫金刚石薄膜的应力进行了研究,结果表明:在典型的掺硫金刚石薄膜制备工艺条件下,随着硫碳比的增加,总应力和本征应力星减小趋势,在硫碳体积比RS/C=4.2×10-3时,总应力有最大值23GPa;在R S/C=6.5×10-3时,本征应力可以抵消热应力,而使总应力的绝对值最小,在此条件下所合成的金刚石薄膜与衬底的附着性较好,有利于金刚石薄膜的稳定生长.分析认为金刚石薄膜的晶粒边界密度,sp2碳相等杂质分别是产生张力、压力的主要原因.

薄膜物理学、化学气相沉积、金刚石薄膜、掺杂、应力

31

O484(固体物理学)

河北省自然科学基金503130

2004-05-14(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)

共3页

480-482

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0258-7025

31-1339/TN

31

2004,31(z1)

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