10.3321/j.issn:0258-7025.2004.z1.069
半导体纳米粒子Bi2S3和NiS的光限幅特性研究
研究了Bi2S2和NiS半导体纳米粒子的光限幅特性,测得了Bi2S3非线性阈值为0.11 J/cm2,NiS的非线性阈值为0.21 J/cm2.对两种样品进行了开孔Z-scan的实验,计算可知Bi2S3非线性吸收系数β≈9 cm/GW,NiS的非线性吸收系数β≈8 cm/GW.在NiS半导体纳米粒子的乙醇溶液进行闭孔Z-scan时,发现样品有自聚焦的特性,也就是说样品的非线性折射率系数n2>O,计算得y≈2.66×104 cm2/GW.
非线性光学、纳米粒子、Z扫描、光限幅
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O437(光学)
2004-05-14(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
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