10.3321/j.issn:0258-7025.2004.08.015
高掺杂浓度Yb∶YAG晶体的生长及光谱性能
应用中频感应提拉法生长了掺杂浓度高达50 at.-%的Yb∶YAG晶体,研究了室温下Yb∶YAG晶体的吸收和发射光谱特性以及荧光寿命,在939 nm和969 nm处存在Yb3+离子的2个吸收带,能与InGaAs激光二极管(LD)有效耦合,适合激光管二极抽运.其荧光主峰位于1032 nm附近,Yb∶YAG晶体的荧光寿命为390 μs.比较了高掺杂与低掺杂Yb∶YAG晶体的光谱参数,指出高掺杂Yb∶YAG晶体是一种很有前景的高功率激光增益介质.
材料、Yb∶YAG晶体、提拉法、晶体生长、光谱特性
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O782+.5;O734(晶体生长)
国家高技术研究发展计划863计划2002AA311030
2004-09-16(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
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