面向SOT-MRAM的磁屏蔽仿真设计与优化

摘要：

磁随机存储器由于其高读写速度、接近无限次的读写次数和低功耗等优异特性受到越来越多的关注.磁随机存储器采用磁场方向来操作存储位,外部磁场很容易对磁结产生干扰导致读写错误的发生.因此采用磁屏蔽封装结构来减小外部磁场对存储器的影响具有重要意义.本文针对第四代自旋轨道矩磁随机存储器的磁屏蔽优化设计进行研究,根据自旋轨道矩磁随机存储器的面内磁场敏感特性,采用平行式磁屏蔽封装形式,建立了磁屏蔽有限元模型,分析了磁屏蔽结构因素(间距,面积和厚度)和磁饱和现象对磁屏蔽效果的影响,为磁存储器磁屏蔽设计提供了新思路.

关键词：自旋轨道矩磁随机存储器、磁屏蔽、有限元

所属期刊栏目：33

分类号：TP391.9;TN722.75;TN929.5

在线出版日期：2024-02-27（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共6页

页码：70-75