一种全尺寸MOS晶体管的俘获隧穿电流优化模型

摘要：

针对当前的俘获隧穿电流模型中,对于不同器件尺寸只有统一的参数进行模型拟合,存在无法针对器件尺寸变化进行准确地模型拟合的问题.本文提出了在俘获隧穿电流模型的参数中,添加与器件全尺寸信息相关的方法,包括器件宽度方向,长度方向及小尺寸的系数对原有的漏电模型基础上进行优化,使得该优化的漏电模型能更好地反应器件特性实测数据,更好地解决了俘获隧穿电流更准确地表征器件特性的问题,这就提高了给电路设计者做仿真参考的准确性.

关键词：MOS晶体管、俘获隧穿电流、全尺寸、SPICE模型

所属期刊栏目：33

分类号：TN386.1;TN402;TP212.1

在线出版日期：2024-02-27（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：46-50