先进封装技术在三维闪存产品中的应用探讨

摘要：

在存储技术发展过程中,三维闪存存储器以其单位面积内存储容量大、改写速度快等优点,正逐步取代机械硬盘成为大数据存储领域中的主角.但是目前市面上的Nand Flash产品封装还是多以传统金属线键合技术为主,这类传统方案会在一些特殊应用和需求下存在较难进一步降低封装体的尺寸、传输速度受限等问题.为了应对产品尺寸持续向小、速度和带宽需求持续增大的趋势,三维闪存封装也需要更多的形式,可以结合当前涌现出的多种先进封装形式寻找新的解决方案.本文通过分析SiP、Fan-out、3D和Chiplet等先进封装形式,探讨在三维闪存封装中的可能应用方案,利用重新布线层(RDL)代替基板、TSV,Bumping代替金线的连接等技术,有效缩小封装体面积同时,提升产品的运行速度,增强数据处理能力.

关键词：三维闪存、先进封装、SiP、Fan-in/Fan-out、重新布线层(RDL)、硅通孔(TSV)、Chiplet

所属期刊栏目：32

分类号：TN91;TP333;TN492

在线出版日期：2023-11-24（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：88-92