一种瞬态增强的无片外电容LDO设计

摘要：

基于SMIC 0.18 um BCD工艺,采用自适应功率管技术和直接电压尖峰检测技术,设计了一种瞬态响应增强的无片外电容低压差线性稳压器.瞬态增强电路采用对称的频率补偿网络提高功率管瞬时摆率,抑制下冲;采用PMOS管组成的电荷泄放通路减小系统瞬时输出阻抗,抑制上冲.仿真结果显示:输入电压为3.5～4.5 V、漏失电压为100 mV时,系统最大输出电流为100 mA;线性调整率为0.04 mV/V,负载调整率为7.33 mV/A.负载电流在0～100 mA@1 us跳变时,上冲、下冲电压小于130 mV,建立时间小于1 us.

关键词：无电容LDO、瞬态增强电路、电压尖峰检测、自适应功率管

所属期刊栏目：32

分类号：TN402(微电子学、集成电路（IC）)

在线出版日期：2023-10-19（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：63-67