基于FinFET器件结构的高精度温度传感器设计

摘要：

随着标准CMOS工艺向二十纳米以下推进,平面CMOS晶体管开始向三维(3D)FinFET器件结构过渡,寄生三极管的电流增益β大幅下降,使以寄生PNP管作为温度传感器件的温度传感电路不再适用.本文基于标准CMOS工艺,以寄生垂直NPN管作为温度传感器件,给出了三维FinFET器件结构下的数字温度传感器设计.该数字温度传感器在-55℃至+125℃的温度范围内,电路仿真精度达± 0.2℃,芯片测试精度达±0.3℃.

关键词：3D FinFET结构、电流增益、垂直NPN管、数字温度传感器

所属期刊栏目：32

分类号：TN433;TN386;TP212.11

在线出版日期：2023-10-19（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共6页

页码：34-38,62