一种自适应DRAM刷新控制方法和DRAM刷新控制器

王棋张颖

西安紫光国芯半导体有限公司;

摘要：

为了降低现有动态随机存取存储器(DRAM)刷新控制器基于平均刷新时间(tREFI)发送刷新指令所带来的系统性能损失,本文提供了一种自适应DRAM刷新控制方法和DRAM刷新控制器.本设计先将刷新指令进行缓存,然后判断读写总线状态,若读写总线空闲,将缓存的刷新指令顺序发送DRAM;若读写总线处于工作状态,依据缓存中刷新指令的数目决定是否将缓存的刷新指令顺序发给DRAM.

关键词：DRAM、刷新控制方法、刷新控制器

所属期刊栏目：32

分类号：TP333;TN47;TN915.04

在线出版日期：2023-09-25（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：20-22,29